高頻加熱爐與可控硅加熱設備相比，有何優勢？

    高頻加熱爐與可控硅加熱設備相比，有何優勢？不要急，聽小編我慢慢的給您分析。

    傳統的可控硅加熱設備采用的功率器件為可控硅，采用并聯諧振電路，由于可控硅為半控器件，損耗大。高頻加熱爐使用先進的全控型半導體器件——IGBT，設計開發了新型的控制電路，降低了器件的損耗，提高了設備效率。由于并聯諧振電路為電流諧振，感應圈上電流大，感應圈的損耗大，高頻加熱爐采用的串聯諧振電路，為電壓諧振，當設備功率相同時，通過提高感應圈的電壓，減小了感應圈上的電流，從而降低了感應圈上的損耗。

    功率器件可控硅和IGBT的優劣比較：

    IGBT：
    1、功率小而飽和壓降低。
    2、可控制開關元件。
    3、可在較高頻率下工作。
    4、控制靈活方便，能取消可控硅電路的關斷電路等，在很多場合完全可以替代可控硅，并且性能更好。

    可控硅：
    1、可控硅整流元件亦稱為晶閘管，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。
    2、只能控制開，不能控制關。
    3、多在5KHz以內的頻率下工作。
    4、靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

    通過上文的分析可以看出，高頻加熱爐與可控硅加熱設備相比，具有節能、控制靈活方便、高效等優勢。這也是越來越多的熱處理廠家摒棄了可控硅加熱設備，而采用高頻加熱爐進行熱處理的原因所在。